[发明专利]采用无缝存储元的三维只读存储器

摘要

本发明提出一种采用无缝存储元的三维只读存储器(3D-ROM)。该无缝存储元的工艺流程中，3D-ROM膜以及至少与之相邻的部分底电极和部分顶电极是以一种无缝的形式形成的：在这些工艺步骤之间没有图形转换，故不会对顶界面和底界面引入杂质。无缝存储元能提高3D-ROM的成品率。

主权项

1. 一种采用无缝存储元的三维只读存储器，其特征在于含有：一衬底；多个叠置在衬底上的只读存储层，所述只读存储层通过多个接触通道口与衬底实现电连接；至少一个存储层含有多个无缝存储元，每个无缝存储元含有：第一和第二导体；一位于该第一和第二导体之间的准导通膜，电流在不同方向上通过该准导通膜时其电阻不同；该准导通膜与该第一和第二导体具有第一和第二界面，该第一和第二界面在制造过程中未暴露在刻蚀环境中。