[发明专利]阶梯式电容结构、其制造方法、及应用其的基板有效
| 申请号： | 200810184389.4 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101458994A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李明林;吴仕先;赖信助;刘淑芬 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01G4/35 | 分类号： | H01G4/35;H01G4/38;H01L23/488;H01L23/498;H05K1/16;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阶梯式电容结构、其制造方法、及应用其的基板。阶梯式电容结构至少有一层导体层为阶梯式结构。导孔会贯穿此阶梯式电容的导体层。所以，当有不同频率的电流流过此导孔时，会引发不同的电流回流路径，导致不同电感效应。如此，可在单一平板电容结构达成阶层式去耦合电容的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 电容 结构 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
1. 一种阶梯式电容结构，包括：上层导体层、中间介电层、以及下层导体层，其中该两导体层中至少有一导体层的截面为阶梯状。
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