[发明专利]半导体显示器件有效
| 申请号: | 200810181667.0 | 申请日: | 2004-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN101447492A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L23/482;H01L23/522;H01L23/60;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王小衡 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种半导体显示器件。本发明的目的是提供一种利用更有效地防止电介质击穿的保护电路的半导体显示器件。在本发明中,在形成覆盖用作保护电路的TFT的第一层间绝缘膜和形成覆盖在该第一层间绝缘膜之上形成的布线的作为绝缘覆盖膜的第二层间绝缘膜的情况下,用于将TFT连接到其它半导体元件的布线形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触,以确保释放在该第二层间绝缘膜的表面中累积的电荷的路径。注意:用作保护二极管的TFT称为二极管式连接的TFT,其中第一端子或第二端子之一连接到栅电极。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 显示 器件 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体显示器件,包括:在衬底之上的像素部分,该像素部分包括第一薄膜晶体管和电连接到该第一薄膜晶体管的显示元件;在衬底之上的包括第二薄膜晶体管的驱动电路;在衬底之上的包括第三薄膜晶体管的保护电路;在第一、第二和第三薄膜晶体管之上的第一绝缘膜;在第一绝缘膜之上的第一布线,该第一布线将第二薄膜晶体管的第一端子和栅电极彼此电连接;在第一绝缘膜之上的第二布线,该第二布线电连接到第二薄膜晶体管的第二端子;在第一布线和第二布线之上的第二绝缘膜;以及在第二绝缘膜之上的第三布线,该第三布线电连接到第一布线和第二布线的其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





