[发明专利]用于短波半导体的发光二极管及荧光粉无效

专利信息
申请号: 200810180370.2 申请日: 2008-11-25
公开(公告)号: CN101418219A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 申请(专利权)人: 罗维鸿
主分类号: C09K11/86 分类号: C09K11/86;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200231上海市徐*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种用于短波异质结发光二极管的荧光粉,该荧光粉可创造白光辐射,这种白光辐射源于异质结的蓝色辐射和荧光粉吸收蓝色后辐射出的黄色光。这种荧光粉的成分以钇铝石榴石为基质,形成了化学式:A3B5C12:TR,其中A=YxGdyLuz,B=Al,C=OmNnFn,TR=Ce,Y的原子分率为[Y]=x,[Gd]=y,[Lu]=z,[Ce]=w,x+y+z+w=1,[O]=m,[N]=[F]=n,m+2n=1。本发明的荧光粉具有高的发光亮度,稳定的光色度以及高的耐久性。
搜索关键词: 用于 短波 半导体 发光二极管 荧光粉
【主权项】:
1. 一种用于短波半导体发光二极管的荧光粉,其以稀土元素和铝的氧化物为基质,铈为激化剂且该荧光粉的化学式为:A3B5C12:TR,其中A=YxGdyLuz,B=Al,C=OmNnFn,TR=Ce,Y的原子分率为[Y]=x,[Gd]=y,[Lu]=z,[C e]=w,x+y+z+w=1,[0]=m,[N]=[F]=n,m+2n=1。
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