[发明专利]红外线传感器IC、红外线传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810179585.2 | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101459203A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 上之康一郎;久世直洋;森安嘉贵;永濑和宏 | 申请（专利权）人： | 旭化成电子材料元件株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/102 | 分类号： | H01L31/102;H01L31/103;H01L31/0352;H01L31/18;H01L25/16;G01J5/20;G01J5/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭 放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种红外线传感器，其包括基板以及在该基板上形成的、由多个化合物半导体层层叠而成的化合物半导体的层叠体，上述化合物半导体的层叠体包括：在该基板上形成的、作为包含铟及锑且n型掺杂了的材料的第六化合物半导体层；在该第六化合物半导体层上形成的、作为包含铟及锑且未掺杂或p型掺杂了的材料的第七化合物半导体层；以及在该第七化合物半导体层上形成的、作为以比上述第七化合物半导体层更高的浓度进行了p型掺杂、且具有比上述第六化合物半导体层及上述第七化合物半导体层更大的带隙的材料的第八化合物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 传感器 ic 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种红外线传感器，其特征在于包括：基板，以及在该基板上形成的、由多个化合物半导体层层叠而成的化合物半导体的层叠体，上述化合物半导体的层叠体包括：在该基板上形成的、作为包含铟及锑且n型掺杂了的材料的第六化合物半导体层，在该第六化合物半导体层上形成的、作为包含铟及锑且未掺杂或p型掺杂了的材料的第七化合物半导体层，以及在该第七化合物半导体层上形成的、作为以比上述第七化合物半导体层更高的浓度进行了p型掺杂、且具有比上述第六化合物半导体层及上述第七化合物半导体层更大的带隙的材料的第八化合物半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
