[发明专利]一种修正掩膜布局图形的方法有效
申请号: | 200810178638.9 | 申请日: | 2008-11-21 |
公开(公告)号: | CN101738849A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 林佳蔚;陈堃元 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 披露了一种修正掩膜布局图形的方法。该方法包括,首先,提供一布局图形,包含至少一段落,其中前述段落设有多个评估点,然后,解译布局图形,以获得一解译图形和一段落解译图形,前述的段落解译图形系为解译后的段落,之后,计算段落与段落解译图形,分别对应评估点的偏移量,接着,以偏移量计算出两相邻的评估点的偏移量梯度,最后依据偏移量梯度,评估两相邻的评估点之间的切分数。 | ||
搜索关键词: | 一种 修正 布局 图形 方法 | ||
【主权项】:
一种修正掩膜布局图形的方法,包含:提供一布局图形,包含至少一段落,其中该段落包含至少一第一评估点和一第二评估点;解译该布局图形,以获得一解译图形,其中该解译图形包含一段落解译图形,其中该段落解译图形包含一对应该第一评估点的第三评估点和一对应该第二评估点的第四评估点;计算该第一评估点和该第三评估点的间距,获得一第一偏移量;计算该第二评估点和该第四评估点的间距,获得一第二偏移量;计算该第一偏移量和该第二偏移量之间的一偏移变化量;以及依据该偏移变化量评估该第一评估点和该第二评估点之间的切分数。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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