[发明专利]半导体非易失性存储器无效
| 申请号： | 200810178256.6 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101441894A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 小岛诚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体非易失性存储器，在半导体非易失性存储器中，即便在读出前不放电各位线，也可正确地执行存储器单元的读出。在存储器单元(03)的读出中，将连接于漏极的位线(BL23)经主位线(MBL[3])连接于电压源(Vd)后施加规定电压，连接于源极的位线(BL24)经主位线(MBL[0])连接于读出放大器(71)。这时，位线(BL25)经主位线(MBL[1])连接于接地电源(GND)。即，由于读出对象的位线(BL24)附近的位线(BL25)强制地成为接地电平，所以不从这里流入电荷，因此可防止电流流入位线(BL24)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1、一种接地读出方式半导体非易失性存储器，具备：存储器单元阵列，至少包含第1存储器单元；连接于所述第1存储器单元的漏极的第1位线；连接于所述第1存储器单元的源极的第2位线；和配置在漏极与所述第2位线连接的第2存储器单元的源极侧附近的第3位线；读出放大器；给出规定的读出电压的电压源；接地电源；将所述第1～第3位线选择连接到所述读出放大器、所述电压源及所述接地电源的选择电路；和控制所述选择电路的选择控制部件，所述选择控制部件在所述第1存储器单元的读出中，控制所述选择电路，以使所述第1位线连接于所述电压源，使所述第2位线连接于所述读出放大器，使所述第3位线连接于所述接地电源。
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