[发明专利]改进的化学机械抛光垫及其制造和使用方法有效
| 申请号： | 200810177863.0 | 申请日： | 2008-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101417411A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | R·V·帕拉帕思 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24D11/00 | 分类号： | B24D11/00;B24D18/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形状记忆化学机械抛光垫，其中该形状记忆化学机械抛光垫包括一处于压缩状态的抛光层。本发明还提供了一种制造形状记忆化学机械抛光垫的方法和使用形状记忆化学机械抛光垫抛光基片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 化学 机械抛光 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于抛光基片的形状记忆化学机械抛光垫，所述基片选自磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种；所述抛光垫包括：处于压缩状态的抛光层；其中所述抛光层包括一种能在初始形状与设定形状之间转换的形状记忆基质材料；其中在形状记忆基质材料处于初始形状时，所述抛光层具有初始厚度OT；其中在形状记忆基质材料处于设定形状时，所述抛光层处于压缩状态，且具有压缩厚度DT；其中DT≤80％OT；并且其中所述抛光层具有适合抛光基片的抛光表面。
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