[发明专利]次级存储器装置、及存取一次级存储器的方法有效

专利信息
申请号: 200810176781.4 申请日: 2008-11-18
公开(公告)号: CN101625662A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 郭武吉 申请(专利权)人: 慧国(上海)软件科技有限公司;慧荣科技股份有限公司
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈 亮
地址: 200433上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种用以存取一次级存储器的方法及一种次级存储器装置。该次级存储器装置包含至少一管理单元及一控制器。该管理单元包含多个区块,各该多个区块具有多个存储页,且各该多个存储页具有多个磁区,该次级存储器具有多个不可存取磁区。该控制器用以分析对应于一特殊区块的一写入指令,根据该特殊区块的一状态信息而选取至少一可存取磁区,以及程序化写入该写入指令至该特殊区块,其中该状态信息指示该特殊区块的至少一不可存取磁区。借此,根据该状态信息,该方法及该次级存储器装置不仅可忽略该些不可存取磁区,且亦可增强可用的存储器容量。
搜索关键词: 次级 存储器 装置 存取 方法
【主权项】:
1.一种用以存取一次级存储器的方法,该次级存储器包含多个区块,各该多个区块具有多个存储页,且各该多个存储页具有多个磁区,该次级存储器具有多个不可存取磁区,该方法包含下列步骤:程序化写入一初始写入指令至该些区块;该些区块已被写入后,借由程序化写入一初始读取指令至该些区块,以产生一状态信息;以及因应该状态信息,标记至少一区块为一特殊区块,用于一后续存取,该特殊区块具有至少一该些不可存取磁区,其中该状态信息指示该至少一区块的该至少一该些不可存取磁区。
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