[发明专利]制造第Ⅲ族元素氮化物半导体的设备及制造该半导体的方法无效
| 申请号： | 200810176506.2 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101429678A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎史郎 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B11/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供制造第Ⅲ族氮化物半导体的设备以及制造该半导体的方法，该设备能够制造均匀的Si掺杂的GaN晶体。在本发明的一个实施方案中，制造第Ⅲ族氮化物半导体的设备包括：用于供给氮和硅烷的供给管、用于供给Ga熔融体至坩埚的Ga-供给装置、用于供给Na熔融体至坩埚的Na-供给装置。将氮和掺杂剂混合在一起，并且通过一个单供给管来供给该气体混合物，而无需提供仅用于供给掺杂剂的常用供给管。因此，减小了反应容器中的死区，并抑制了Na的蒸发，由此可制造高品质的Si掺杂的GaN晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 元素 氮化物 半导体 设备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造第III族氮化物半导体的设备，包括反应容器、加热装置和置于所述反应容器中的坩埚，所述设备用于通过在所述反应容器中使得保持在所述坩埚中的包含至少第III族金属和碱金属的熔融混合物与包含至少氮的气体反应来生长第III族氮化物半导体晶体，其中所述设备具有第一供给管，所述第一供给管用于将气态掺杂剂和包含至少氮的气体的混合物供给至所述反应容器。
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