[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810176386.6 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101471378A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李相容 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其制造方法。绝缘栅双极型晶体管可以包括：在衬底内形成的第一导电类型集电极离子注入区；在集电极离子注入区上方形成的第二导电类型第一缓冲层，并且多个第一缓冲层的每一个包括第一段缓冲层和第二段缓冲层；从衬底的表面至集电极离子注入区形成的第一导电类型的多晶硅层，第一导电类型的多晶硅层具有接触结构；在临近第一导电类型的多晶硅层的衬底区中形成的第二导电类型的第二缓冲层。不同区域的段缓冲层具有不同的浓度。因此，通过缓冲层而注入的空穴电流的量可以对于不同区域而不同。本发明的制造方法可以最小化正向压降，并且可以防止寄生闸流管产生闩锁。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种器件，包括：第一导电类型的集电极离子注入区，形成在衬底内；第二导电类型的第一缓冲层，形成在该集电极离子注入区上方，该第一缓冲层包括第一段缓冲层和第二段缓冲层；第一导电类型的多晶硅层，形成为从该衬底的表面至该集电极离子注入区，该第一导电类型的多晶硅层具有接触结构；以及第二导电类型的第二缓冲层，形成在临近该第一导电类型的多晶硅层的该衬底中。
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