[发明专利]非易失性存储器的热载流子注入编程的方法和结构有效
| 申请号： | 200810175677.3 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101393773A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王立中 | 申请（专利权）人： | 弗拉什西利康股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器的热载流子注入编程的方法和结构。非易失性存储器单元中的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有源极、漏极和在源极和漏极之间的沟道区域，它们都在具有与源极和漏极的导电类型相反的导电类型的衬底上形成。通过将漏电极连接到提供给所述非易失性存储器单元的主电压电源Vcc并向源极和衬底提供选定的电压，从而将从源极向漏极延伸的沟道区域的一部分反型，对MOSFET进行编程。沟道区域中的反型部分在到达漏极之前的夹断点终止。通过控制跨过源极和衬底之间的PN结的反向偏置，将反型区域的夹断点向源极拉回，从而提高MOSFET的编程效率。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 载流子 注入 编程 方法 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种用于对非易失性存储器单元中金属氧化物半导体场效应晶体管编程的方法，所述晶体管具有源极、漏极以及在所述源极和所述漏极之间的沟道区域，所述源极、所述漏极和所述沟道区域在衬底中形成，所述衬底具有与所述源极和所述漏极的导电类型相反的导电类型，所述方法包括：将所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电极连接到提供给所述非易失性存储器单元的主电压电源Vcc或者接地Vss；使从所述源极向所述漏极延伸的所述沟道区域的一部分反型，所述沟道区域的被反型部分在到达所述漏极之前在夹断点终止；以及通过反向偏置所述源极和所述衬底之间的PN结到选定的反相偏置电压从而将反型区域的所述夹断点向所述源极拉回，优化所述金属氧化物半导体场效应晶体管的编程效率。
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