[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

一种图像传感器，包括：包括像素区和外围电路区的半导体衬底；在像素区和外围电路上布置的包括金属布线的层间绝缘膜；以及在像素区的层间绝缘膜上设置的光电二极管和上部电极。此外，图像传感器包括：在包括上部电极和外围电路区的层间绝缘膜的半导体衬底上设置的保护层，该保护层在与光电二极管的侧壁相对应的区域中具有坡状部分；通道孔，该通道孔设置在保护层上以便选择性地暴露上部电极和外围电路区中的金属布线；以及在包括通道孔的保护层上设置的上部布线。

主权项

1. 一种图像传感器，包括：半导体衬底，包括像素区和外围电路区；包括下部金属布线的层间绝缘膜，形成在所述像素区和所述外围电路区上方；下部电极，形成于所述层间绝缘膜上方的像素区中且电连接至在所述像素区中形成的所述下部金属布线；光电二极管，形成于所述层间绝缘膜和所述下部电极上方的所述像素区中；上部电极，形成于所述光电二极管上方的所述像素区中；保护层，形成于包括所述上部电极和所述层间绝缘膜的所述半导体衬底上方的所述像素区和所述外围电路区中，所述保护层在与所述光电二极管的所述侧壁相对应的区域中具有坡状部分；通道孔，形成于所述保护层中以暴露所述上部电极和在所述外围电路区中的所述下部金属布线；以及上部布线，形成于包括所述通道孔的所述保护层上方。