[发明专利]半导体器件和具有该半导体器件的逆变器电路有效
| 申请号： | 200810174833.4 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101431075A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 福田丰;都筑幸夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H02M7/537 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括半导体衬底(1)、形成到所述半导体衬底(1)的绝缘栅极晶体管(21)、形成到所述半导体衬底(1)的二极管(22)、以及形成到所述半导体衬底(1)的控制晶体管(ST1-ST3)。所述绝缘栅极晶体管(21)的第一电流端子在高电位侧耦合到所述二极管(22)的阴极。所述绝缘栅极晶体管(21)的第二电流端子在低电位侧耦合到所述二极管(22)的阳极(22a)。将所述控制晶体管(ST1-ST3)配置成，在所述二极管(22)传导电流时，通过降低所述绝缘栅极晶体管(21)的栅极端子的电位来使所述绝缘栅极晶体管(21)截止。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 具有 逆变器 电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体衬底(1)；形成到所述半导体衬底(1)的绝缘栅极晶体管(21)；形成到所述半导体衬底(1)的二极管(22)；以及形成到所述半导体衬底(1)的第一控制晶体管(ST1，ST3)，其中所述绝缘栅极晶体管(21)的第一电流端子在高电位侧耦合到所述二极管(22)的阴极，其中所述绝缘栅极晶体管(21)的第二电流端子在低电位侧耦合到所述二极管(22)的阳极，并且其中将所述第一控制晶体管(ST1，ST3)配置成，在所述二极管(22)传导第一电流时，通过降低所述绝缘栅极晶体管(21)的栅极端子的电位来使所述绝缘栅极晶体管(21)截止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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