[发明专利]倒置变形多结太阳能电池中的异质结子电池有效
申请号: | 200810171863.X | 申请日: | 2008-11-12 |
公开(公告)号: | CN101499495A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 马克·A·斯坦;阿瑟·科恩费尔德 | 申请(专利权)人: | 昂科公司 |
主分类号: | H01L31/06 | 分类号: | H01L31/06;H01L31/078;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及倒置变形多结太阳能电池中的异质结子电池。一种倒置变形多结太阳能电池及其制作方法,所述太阳能电池包括上部子电池、中部子电池和下部子电池,所述方法包括:提供第一衬底以用于半导体材料的外延生长;在所述衬底上形成上部第一太阳能子电池,其具有第一带隙;在所述第一太阳能子电池上方形成中部第二太阳能子电池,其具有小于所述第一带隙的第二带隙;在所述第二子电池上方形成分级夹层,所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙;以及在所述分级夹层上方形成下部第三太阳能子电池,其具有小于所述第二带隙的第四带隙,使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配,其中所述太阳能子电池中的至少一者具有异质结基极-发射极层。 | ||
搜索关键词: | 倒置 变形 太阳能电池 中的 结子 电池 | ||
【主权项】:
1. 一种多结太阳能电池,其包含:上部第一太阳能子电池,其具有第一带隙;中部第二太阳能子电池,其邻近于所述第一太阳能子电池并具有小于所述第一带隙的第二带隙,且具有异质结基极和发射极;分级夹层,其邻近于所述第二太阳能子电池,所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙;以及下部太阳能子电池,其邻近于所述分级夹层,所述下部子电池具有小于所述第二带隙的第四带隙,使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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