[发明专利]单晶石墨烯片及其制备工艺和透明电极无效
| 申请号： | 200810169624.0 | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101462717A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 崔在荣;申铉振;尹善美;韩在镕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;杨 静 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种单晶石墨烯片、一种制备单晶石墨烯片的工艺以及一种包括单晶石墨烯片的透明电极。所述单晶石墨烯片包含多环芳香分子，其中，多个碳原子彼此共价结合，单晶石墨烯片包括层数在大约1层至大约300层之间的层，其中，Raman D带强度与Raman G带强度的峰比小于等于大约0.2。所述制备单晶石墨烯片的方法包括：形成包括单晶石墨化金属触媒片的触媒层；将含碳材料设置在触媒层上；在惰性气氛和还原性气氛中的至少一种中热处理触媒层和含碳材料。 | ||
| 搜索关键词： | 晶石 墨烯片 及其 制备 工艺 透明 电极 | ||
【主权项】：
1、一种单晶石墨烯片，包含：多环芳香分子，其中，多个碳原子彼此共价结合以形成单晶，单晶石墨烯片包括层数在1层至300层之间的层，Raman D带强度与Raman G带强度的峰比小于等于0.2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810169624.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含硅氧烷的基料分散体
- 下一篇：安全气囊装置
