[发明专利]一种基于镁锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器无效
| 申请号： | 200810163442.2 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101436454A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 季振国;毛启楠;冯丹丹 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01C7/108 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 周 烽 |
| 地址： | 310018浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于镁锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器，它主要由绝缘衬底、金属薄膜下电极、镁锌氧化物薄膜和金属薄膜上电极组成。其中，所述镁锌氧化物薄膜为高度c轴取向的晶体薄膜，它的分子式为MgxZn1-xO，x的取值范围为0.01～0.50；利用本发明可以制作阈值电压处于3.3-5.3伏之间的低压压敏电阻器；当镁锌氧化物MgxZn1-xO中的x的范围为0.01-0.50之间时，相应的压敏电阻器的阈值电压与镁含量有简单的线性关系，因此在制作低压压敏电阻器时可以通过控制镁含量x来控制压敏电阻器的阈值电压，由此解决了制作低压压敏电阻器时阈值电压不能任意设定的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化物 薄膜 低压 压敏电阻 | ||
【主权项】：
1. 一种基于镁锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器，其特征在于，它主要由绝缘衬底、金属薄膜下电极、镁锌氧化物薄膜和金属薄膜上电极组成。其中，所述镁锌氧化物薄膜为高度c轴取向的晶体薄膜，它的分子式为MgxZn1-xO，x的取值范围为0.01～0.50。
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