[发明专利]半导体封装及半导体封装的制造方法有效
| 申请号: | 200810161769.6 | 申请日: | 2008-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN101399243A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
| 发明(设计)人: | 吉冈心平;渡边尚威 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭 放 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种能减少制作工序的半导体封装以及半导体封装的制造方法。该半导体封装(1)具有:具有第1主面(11)以及第2主面(12)的半导体元件(10);设置在第1主面(11)侧的第1电极板(20);设置在第2主面(12)侧的第2电极板(30);以及设置在半导体元件(10)与第1电极板(20)之间的布线基板(40),通过使设置在第1电极板(20)上的突起部(22)的侧面的多个开口部(26)、与设置在将布线基板(40)的突起部(22)贯入的贯入口(43)的内侧面并且与开口部(26)对应的多个卡合部(45)分别卡合来构成半导体封装(1)。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体封装,其特征在于,具有:半导体元件,其形成为板状,具有设置在第1主面的中心部的栅极电极、设置在第1主面的上述栅极电极周围的发射极电极、以及设置在第2主面上的集电极电极;第1电极板,其形成为板状,具有设置在与上述第1主面对置的一个面上并且和上述发射极电极的至少一部分抵接的突起部、设置在该突起部的中心的贯通孔、设置在该贯通孔的内周部的一部分上且在另一面侧的台座部、设置在上述突起部且从上述贯通孔到上述突起部的外侧面形成的连通路、以及设置在上述突起部的外侧面的多个开口部;布线基板,其层叠在上述半导体元件与上述第1电极板之间并且形成为可夹持的板状,具有将上述突起部贯入的贯入口、突出部、设置在该突出部的前端并且电连接到上述栅极电极的控制电极、以及设置在上述贯入口内周部的多个卡合部,上述突出部的基端设置在上述贯入口的内周面,前端位于上述贯通孔内部并且被保持在上述台座上,并通过上述连通路延出,上述多个卡合部分别卡合到上述多个开口部,其前端位于上述突起部的外侧面的内侧;以及第2电极,其形成为板状,设置在其一个主面上,并且与上述集电极电极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810161769.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:配线基板及其制造的方法
- 下一篇:基板制造方法





