[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。在包括由用于器件隔离的浅沟槽包围的用于静电放电保护的n型金属氧化物半导体晶体管的半导体器件中，为了抑制处于关断状态的关断泄露电流，在用于ESD保护的n型金属氧化物半导体晶体管的漏极区附近，形成经过与用于ESD保护的NMOS晶体管的所述漏极区接触的p型区的从外部连接端子接收信号的n型区。

主权项

1.一种半导体器件，包括：布置在半导体衬底上的用于静电放电保护的n型金属氧化物半导体晶体管，其置于外部连接端子和内部电路区之间以便布置在所述内部电路区中的内部元件被保护免于静电放电击穿；p型区，布置在所述半导体衬底上与所述n型金属氧化物半导体晶体管的漏极区接触；n型区，置于所述漏极区与所述n型金属氧化物半导体晶体管的栅极电极相对的侧上，通过所述p型区与所述漏极区分离，并从所述外部连接端子接收信号；以及浅沟槽区，围绕所述n型金属氧化物半导体晶体管、所述p型区、以及所述n型区用于隔离。