[发明专利]一种可见光铟镓氮基光电化学电池及制备方法无效
申请号: | 200810156068.3 | 申请日: | 2008-09-19 |
公开(公告)号: | CN101364482A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 刘斌;罗文俊;谢自力;李朝升;陈敦军;邹志刚;张荣 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01G9/042;H01G9/022;H01M14/00;H01L31/18 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人: | 汤志武;王鹏翔 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 可见光铟镓氮基光电化学电池的制备方法,采用MOCVD在α-Al2O3衬底上外延生长单晶取向的GaN支撑层和InxGa1-xN合金层,利用GaN层缓解InGaN层与衬底之间大晶格失配;其中GaN层生长采用两步法,先设置50至100nm厚的低温缓冲层,低温缓冲层生长温度为500至550℃,再将生长温度升高至1100℃,生长1μm至2μm厚GaN支撑层;InxGa1-xN合金层生长温度区间从600至850℃,决定InxGa1-xN合金层中In的组分x,合金组分0≤x≤1,厚度从50nm至500nm,在InxGa1-xN合金薄膜表面淀积1至10μm金属铟形成欧姆接触电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 可见光 铟镓氮基 光电 化学 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.可见光铟镓氮基光电化学电池的制备方法,其特征是采用MOCVD在α-Al2O3衬底上外延生长单晶取向的GaN支撑层和InxGa1-xN合金层,利用GaN层缓解InGaN层与衬底之间大晶格失配;其中GaN层生长采用两步法,先设置50至100nm厚的低温缓冲层,低温缓冲层生长温度为500至550℃,再将生长温度升高至1100℃,生长1μm至2μm厚GaN支撑层;InxGa1-xN合金层生长温度区间从600至850℃,决定InxGa1-xN合金层中In的组分x,合金组分0≤x≤1,厚度50nm至500nm,在InxGa1-xN合金薄膜表面淀积1至10μm金属铟形成欧姆接触电极。
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