[发明专利]一种半导体荧光材料掺锰硫化锌纳米粉的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体荧光材料掺锰硫化锌纳米粉的制备方法。本发明按摩尔比1∶99或3∶97或5∶95分别称取乙酸锰和乙酸锌粉末，使Zn²⁺和Mn²⁺的总物质的量为0.01mol，将两种固体粉末混合加水溶解，配成200mL溶液；称取0.02mol二乙基二硫代氨基甲酸钠粉末加水溶解，配成200mL溶液；将两种溶液搅拌混合，将所得沉淀抽虑，得到前驱体Zn_1-xMn_x-2(DDTC)₂，x为0.01或0.03或0.05；取1.0g前驱体Zn_1-xMn_x-(DDTC)₂放在坩埚中，置于马弗炉中，在300℃下加热3小时，然后自然冷却至室温，即得到六方相的Zn_1-xMn_xS纳米粉。解决了操作复杂、能耗较高、颗粒大、晶体缺陷多，及浪费和污染大量的水或有机溶剂、周期长、产率低、成本高等缺陷。本发明具有原材料便宜、易得，工艺简单、能耗低、具有优异的半导体特性和荧光性能。

主权项

1. 一种半导体荧光材料掺锰硫化锌纳米粉的制备方法，其步骤如下：(1)按摩尔比1:99或3:97或5:95，分别称取乙酸锰和乙酸锌粉末，并使Zn2+和Mn2+的总物质的量为0.01mol，将两种固体粉末混合，加水溶解，配成200mL溶液；(2)称取0. 02mol二乙基二硫代氨基甲酸钠粉末，加水溶解，配成200mL溶液；(3)将步骤(1)、(2)两种溶液在室温条件下搅拌混合，并在室温下保持搅拌2小时，然后将所得沉淀抽虑，得到前驱体Zn1-xMnx-2(DDTC)2，x为0.01或0.03或0.05；(4)取1. 0g前驱体Zn1-xMnx-(DDTC)2放在坩埚中，置于马弗炉中，在300°C下加热3小时，然后自然冷却至室温，即得到六方相的Zn1-xMnxS纳米粉。