[发明专利]具有可配置垂直输入输出的堆叠半导体装置无效
| 申请号: | 200810154769.3 | 申请日: | 2008-10-06 | 
| 公开(公告)号: | CN101488497A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 | 
| 发明(设计)人: | 郑会柱;李祯培;李勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 | 
| 主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/538;H01L21/60;H01L21/66 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 | 
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | 本发明提供一种包括堆叠的多个器件的装置及相关方法。该装置包括:堆叠的多个器件,包括主器件以及至少一个副器件;多个段,每个段与所述堆叠的多个器件中的一个关联;以及横贯所述堆叠的多个器件的多个N垂直连接路径。该装置进一步包括从所述多个N垂直连接路径配置的多个M垂直信号路径,其中M小于N,并且所述多个M垂直信号路径中的至少一个是合并垂直信号路径,其由所述主器件使用来自所述多个N垂直连接路径中的至少两个中的每一个的至少一个段适应地配置。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 配置 垂直 输入输出 堆叠 半导体 装置 | ||
【主权项】:
                1. 一种装置,包括:堆叠的多个器件,包括主器件和至少一个副器件;多个段,每个段与所述堆叠的多个器件中的一个关联;横贯所述堆叠的多个器件的多个N垂直连接路径,所述多个N垂直连接路径中的每一个包含所述多个段的子集;以及从所述多个N垂直连接路径配置的多个M垂直信号路径,其中M小于N,并且所述多个M垂直信号路径中的至少一个是合并垂直信号路径,其由所述主器件使用来自所述多个N垂直连接路径中的至少两个中的每一个的至少一个段适应地配置。
            
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