[发明专利]一种单畴钐钡铜氧超导块材的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810150939.0 申请日: 2008-09-12
公开(公告)号: CN101348368A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 徐晓燕;卢亚锋;冯建情;张翠萍;于泽铭;熊晓梅 申请(专利权)人: 西北有色金属研究院
主分类号: C04B35/45 分类号: C04B35/45;H01B12/00
代理公司: 西安创知专利事务所 代理人: 李子安
地址: 710016陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种单畴钐钡铜氧超导块材的制备方法,其特征在于采用添加了MgO粉末的钕钡铜氧作为籽晶,采用Sm2BaCuO5相、BaCuO2相和CuO相按一定摩尔比配制同时添加适量CeO2粉末,混合均匀后单轴向压制成钐钡铜氧预熔块,经粉末熔化工艺生长成为具有单畴组织的钐钡铜氧Sm-Ba-Cu-O块材,后经氧退火处理成单畴钐钡铜氧超导块材。采用此方法制备钐钡铜氧超导块材的工艺重复性好,对设备的最高温度要求相对较低,且比较容易获得具有单畴组织形貌的块材样品。
搜索关键词: 一种 单畴钐钡铜氧 超导 制备 方法
【主权项】:
1.一种单畴钐钡铜氧超导块材的制备方法,其特征在于所述制备方法步骤为:(1)采用添加适量MgO粉末的Nd-Ba-Cu-O为基体的Nd-Ba-Cu-Mg-O烧结块作为籽晶,所述MgO粉末的添加量为所述烧结块质量的0.5-2%;(2)采用Sm2BaCuO5相、BaCuO2相和CuO相按摩尔比Sm∶Ba∶Cu=1.6∶2.3∶3.3的比例配制,同时添加适量CeO2粉末,混合均匀后单轴向压制成钐钡铜氧预熔块,所述CeO2粉末的添加量为所述预熔块质量的1%;(3)将步骤(1)中的Nd-Ba-Cu-Mg-O籽晶置于步骤(2)中的钐钡铜氧预熔块的表面中心,再把所述钐钡铜氧预熔块和所述Nd-Ba-Cu-Mg-O籽晶一同放于六面加热炉中,以300℃/h的速度快速升温,在温度1070℃~1075℃的条件下保温2~3h,然后从凝固温度1050℃开始以小于1℃/h的速度缓慢冷却,生长成为具有单畴组织的钐钡铜氧块材,将具有单畴组织的钐钡铜氧块材置于管式炉中,在流通的氧气气氛中,300℃-500℃保温100-200h进行渗氧处理,转变为具有超导性能的钐钡铜氧超导块材。
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