[发明专利]一种 MgB2 基复合元素掺杂超导体的制备方法有效
| 申请号： | 200810150895.1 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101343184A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 闫果;刘国庆;王庆阳;熊晓梅;李成山 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;H01B12/00 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 李子安 |
| 地址： | 710016陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法，制备过程为：首先将干燥的镁粉、硼粉和Ti3SiC2粉末按照一定比例充分混合1－2小时，将混合后的粉末压制成型；然后将其置于真空退火炉中，在纯氩气或氩气与氢气的混合气的保护下，在700℃－1000℃的温度下保温1－10小时；最后冷却至室温，便制成高临界电流密度的MgB2基复合元素掺杂超导体。采用本发明制备MgB2基超导体，在改变MgB2基超导体晶体结构的同时引入了第二相粒子作为有效钉扎中心，所获得的MgB2基超导体在3特斯拉以上的背景磁场中具有高的临界电流密度，可实现MgB2基超导材料的低成本制备，有效改善了MgB2基超导体的磁通钉扎。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mgb sub 复合 元素 掺杂 超导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法，其特征在于所述制备方法步骤为：(1)将干燥的镁粉、硼粉和Ti3SiC2粉末按照摩尔比Mg∶B∶Ti3SiC2 ＝1-0.3x∶2-0.5x∶x的比例充分混合1-2小时，其中0.05≤x≤0.30；(2)将步骤(1)中混合后的粉末用油压机压制成片材或块材；然后将所述片材或块材置于真空退火炉中，于室温下对所述真空退火炉抽真空，待所述真空退火炉真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，所述氩气与氢气的体积百分比为24∶1，然后以60℃/分钟-100℃/分钟的升温速率将所述片或块材加热，在700℃-1000℃的温度下保温1-10小时；最后以25℃/分钟-50℃/分钟的冷却速率将所述片材或块材冷却至室温，便制成MgB2基复合元素掺杂超导体。
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