[发明专利]碳纳米管及其制备方法、碳纳米管元件无效
| 申请号： | 200810149298.7 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101683976A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;李勇明;黄丽平;刘云圻;魏大程;王钰;张洪亮 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吴培善 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了碳纳米管及其制备方法以及使用碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括在催化剂和助催化剂存在下，通过电弧放电法由碳源生产碳纳米管，其中，所述助催化剂包括能降低在催化剂上碳纳米管生长位点的表面能的单质。本发明制备碳纳米管的方法可以制备出纯度非常高并且直径分布窄的碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 及其 制备 方法 元件 | ||
【主权项】：
1.一种制备碳纳米管的方法，其包括在催化剂和助催化剂存在下，通过电弧放电法由碳源生产碳纳米管，其中，所述助催化剂包括能降低在催化剂上碳纳米管生长位点的表面能的元素单质。
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