[发明专利]电子装置及其制作方法以及电子设备无效
| 申请号： | 200810149290.0 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101399274A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 广升泰信 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子装置及其制作方法以及电子设备，该电子装置包括：有源矩阵区、短路线、静电保护元件和遮光膜。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 及其 制作方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1、一种电子装置，包括：有源矩阵区，具有设置在基板上的多条扫描线和多条信号线，以及具有像素晶体管，所述多条扫描线和多条信号线设置为彼此交叉，且每个所述像素晶体管连接至所述多条扫描线和所述多条信号线间的交叉点之一；短路线，设置在所述有源矩阵区的外部；静电保护元件，每个所述静电保护元件连接在所述扫描线和所述信号线至少之一与所述短路线之间；和遮光膜，设置在所述有源矩阵区的外部，其中所述遮光膜在与所述静电保护元件相对应的部分具有开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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