[发明专利]磁记录介质有效

专利信息
申请号: 200810149274.1 申请日: 2008-09-19
公开(公告)号: CN101393750A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 渡边真幸 申请(专利权)人: 富士电机电子技术株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/012
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 张 鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种用于同时实现高密度写操作和对温度特性的良好控制的热辅助记录技术的磁记录介质。一种用于热辅助记录技术的磁记录介质包括依次层叠到非磁性基板上的底层、磁记录层、以及保护层。磁记录层具有一种由两层磁性层和一层插入到该两磁性层之间的交换耦合控制层组成的结构,该两层磁性层通过交换耦合控制层磁耦合。在写信号过程中的耦合能量Jw和在保持信号状态中的耦合能量Jr满足关系0<Jw<Jr。
搜索关键词: 记录 介质
【主权项】:
1. 一种磁记录介质,用于其中写信号的过程在比保持信号状态的温度高的温度下进行的磁记录装置、且包括依次层叠在非磁性基板上的底层、磁记录层、以及保护层;所述磁记录层包括一种结构,该结构有两层磁性层和插入在所述磁性层之间的一层交换耦合控制层;所述两层磁性层通过所述交换耦合控制层磁耦合;在写信号过程中的耦合能量与在保持信号状态中的耦合能量互不相同;以及在写信号过程中的耦合能量Jw与在保持信号状态中的耦合能量Jr满足关系0
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