[发明专利]用于使用结合或独立的度量改进晶片一致性的工艺控制有效
| 申请号： | 200810148894.3 | 申请日： | 2004-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101369551A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 高里·P·科塔;乔治·卢克 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;李丙林 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种方法和装置，用于测量晶片上的多个位置以便控制后续的半导体处理步骤以获得该晶片上更大的尺度一致性。该方法和仪器映射特征在多个位置的尺度以创建尺度映射，把尺度映射转换为处理参数映射，并使用处理参数映射以使后续处理步骤适合于该特定晶片。晶片也可在处理之后加以测量以比较实际结果和目标结果，而且其差异可用来为后续晶片精化从尺度映射到处理参数映射的转换。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 结合 独立 度量 改进 晶片 一致性 工艺 控制 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制晶片处理的方法，包括：确定该镜片上多个特征的尺度映射，该多个特征包括多特测试图案，这些测试图案在测量区域中包括足够数目的、均匀隔开的重复特征，这些均匀隔开的重复特征的尺度与所感兴趣的特征的尺度之间具有已知的关系；由该尺度映射确定处理参数映射；以及根据该处理参数映射处理该晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
