[发明专利]半导体用氮化物衬底及其制备方法无效
| 申请号： | 200810146331.0 | 申请日： | 2004-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101339926A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L33/00;H01L21/306;H01L21/304;H01L21/02;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底，在通过使用气相沉积在基础杂衬底上生成GaN层，然后除去基础衬底而制备的独立GaN膜中，由于层与基础在热膨胀系数和晶格常数方面的差异，翘曲将会高达±40μm至±100μm。由于有此翘曲，通过光刻法制备器件是有挑战性的，将翘曲降低至+30μm至－20μm是本发明的目标。研磨凹向偏离的表面，以赋予其具有伸展作用的损坏层，使表面变成凸面。通过蚀刻除掉已成为凸面的表面上的损坏层，这降低了翘曲。备选地，研磨在已成为凸面的对侧表面上的凸表面，产生损坏层。由于因损坏层已变成为凸面的凹表面，适宜地蚀刻掉损坏层，使翘曲降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 氮化物 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体衬底，其特征在于，衬底的表面或背面通过蚀刻被控制成翘曲是+30μm到-20μm。
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