[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

主权项

1.一种有源矩阵显示装置，包括：包括具有多栅极结构的薄膜晶体管的像素部分，所述薄膜晶体管包括：衬底之上的第一栅电极和第二栅电极，其中第一栅电极和第二栅电极彼此连接；第一栅电极和第二栅电极之上的绝缘膜；第一栅电极和第二栅电极之上的氧化物半导体膜，所述绝缘膜夹在第一栅电极和第二栅电极与氧化物半导体膜之间；源电极和漏电极，形成于氧化物半导体膜之上；以及电连接到源电极和漏电极中的一个的像素电极；其中源电极和漏电极中的每个包括形成于氧化物半导体膜上的钛膜。