[发明专利]一种基于数据交换区的NAND Flash闪存优化管理方法有效
| 申请号： | 200810142659.5 | 申请日： | 2008-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101382918A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 谭四方;罗胜 | 申请（专利权）人： | 深圳市硅格半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 518000广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于数据交换区的NAND Flash闪存优化管理方法，其包括以下步骤：在NAND Flash上设置至少2个BLOCK块作为数据交换区；加入一个动态的数据有效性标识表项，记录所述数据交换区中数据块的新旧程度；在数据块在设定时间内还没有被修改时，写入到逻辑地址重新映射后的闪存真实物理地址内。本发明方法由于采用了通过闪存控制器在NAND Flash芯片中设置的多个BLOCK块的数据交换区，将读写中的中间过程数据进行缓冲存储，减少了对NAND Flash芯片的系统文件区的写入频度，提高了芯片的读写速度，同时均衡了芯片的磨损，延长了NAND Flash的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 数据 交换 nand flash 闪存 优化 管理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于数据交换区的NAND Flash闪存优化管理方法，其包括闪存控制器执行的以下步骤:A、在NAND Flash闪存上设置至少2个BLOCK块作为数据交换区；B、加入一个动态的数据有效性标识表项，用于记录所述数据交换区中数据块的新旧程度，当数据块在设定时间内再没有被修改时，则把最近写入到数据交换区的数据块拷贝到逻辑地址重新映射后的闪存真实物理地址内。
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