[发明专利]半导体集成电路、反相电路、缓冲电路及位准移位器电路有效
| 申请号： | 200810137794.0 | 申请日： | 2008-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101355353A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 山下佳大朗 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14;H03K17/687;H03K19/0185;H03K19/20;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路、反相电路、缓冲电路及位准移位器电路。本发明的反相电路包含：串联地连接的P型MOS晶体管与2个N型MOS晶体管。P型MOS晶体管连接于高电位电压，N型MOS晶体管连接于低电位电压。各MOS晶体管的栅极分别连接于输入信号线。此外，于反相电路中：P型MOS晶体管的连接点与输入信号线的P型MOS晶体管连接，且N型MOS晶体管的连接点与输入信号线的N型MOS晶体管连接。P型MOS晶体管及N型MOS晶体管的栅极连接于反相电路的输出信号线。通过固定于第一晶体管与第二晶体管的关闭期间的连接点的电位，可防止因在晶体管上长时间施加临限值电压而产生的晶体管的特性恶化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 电路 缓冲 移位 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其特征在于，所述的半导体集成电路包含：一第一晶体管；一第二晶体管，其串联地连接于前述第一晶体管；及一电压施加电路，其于前述第一晶体管及前述第二晶体管均关闭的期间中在前述第一晶体管与前述第二晶体管的一连接点上施加一特定的电压。
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