[发明专利]薄膜半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200810133730.3 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101355025A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 国井正文 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/18;C23C16/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法，即使为低的基板温度，也能维持成膜速度并且把膜厚度方向的晶体化率稳定的晶体性硅薄膜成膜在基板上，由此把晶体性硅薄膜直接向基板上成膜的技术在产业上实用化，且通过使用该硅薄膜来谋求高性能化。解决方法是，利用将以SinH2n+2(n＝2、3、…)表示的超级硅烷类气体和氢气用于成膜气体的等离子CVD法，来进行把包含晶体结构的硅薄膜成膜在基板上的成膜工序(S2)。在作为前工序的所述晶核生成工序中，利用将以SinH2n+2(n＝2、3、…)表示的超级硅烷类气体和卤化锗气体用于成膜气体的反应性热CVD法或等离子CVD法，在基板上进行用于生成晶核的晶核生成工序(S1)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于，利用将以SinH2n+2(n＝2、3、...)表示的超级硅烷类气体和氢气用于成膜气体的等离子CVD法，进行把包含晶体结构的硅薄膜成膜在基板上的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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