[发明专利]操作非易失性存储器装置的方法无效
| 申请号： | 200810132037.4 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101587749A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 车载元;金德柱 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种操作非易失性存储器装置的方法，该方法包括：浮动非易失性存储器装置的漏极选择线、源极选择线、阱和共源极线；对编程禁止位线预充电；以及通过对选择的字线施加编程电压来进行编程操作。所述选择线和阱被浮动以防止施加到位线的电压的影响。因此，可以防止非易失性存储器装置的降级。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 非易失性存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作非易失性存储器装置的方法，该方法包括：当对存储器单元进行编程时对位线预充电；以及在所述位线的预充电期间使漏极选择线、源极选择线、阱和共源极线浮动。
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