[发明专利]GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法无效
| 申请号： | 200810130234.2 | 申请日： | 2008-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101350333A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 长田英树;笠井仁;石桥惠二;中畑成二;京野孝史;秋田胜史;三浦祥纪 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/20;H01L33/00;H01S5/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的GaN衬底、具有在GaN衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该GaN衬底的方法，通过该GaN衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，如具有改进性能如发光效率、工作寿命等的发光元件。GaN衬底具有主表面，并包括低缺陷晶体区和邻近于低缺陷晶体区的缺陷集中区。低缺陷晶体区和缺陷集中区从主表面延伸到位于主表面的反向侧的后表面。面方向[0001]相对于该主表面的法线矢量在偏斜角方向上倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 外延 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有主表面的GaN衬底，包括：低缺陷晶体区；以及邻近于所述低缺陷晶体区的缺陷集中区；其中所述低缺陷晶体区和所述缺陷集中区从所述主表面延伸到位于所述主表面的反向侧的后表面，以及面方向[0001]相对于所述主表面的法线矢量，在偏斜角方向上倾斜。
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