[发明专利]硅结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200810129548.0 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101334502A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 渡边真也 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种硅结构包括硅衬底、形成在硅衬底上且包括硅化合物膜的衬底上结构；和根据硅衬底的晶体取向从硅衬底延伸形成的且配置以支撑衬底上结构的支柱。支柱直接提供在硅衬底上的衬底上结构的下面。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅结构，包括：硅衬底；包括硅化合物膜且形成在所述硅衬底上的衬底上结构；其中至少一个移除面通过各向异性蚀刻移除并且经由蚀刻至少存留一个支柱以支撑用作直接在所述衬底上结构下面的所述硅衬底的直接下部的所述衬底上结构。
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