[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法。在半导体集成电路装置的制造工序中，在组装工序的划片后的芯片的拾取工序中，由于迅速的芯片的薄膜化而使得降低拾取不良成为重要的课题。特别是，因剥离动作造成的芯片周边部的弯曲很有可能导致芯片的破裂、缺损。为了解决这些的课题的本申请发明是在通过吸引吸嘴真空吸附芯片以从划片带(粘接带)等剥离的情况下，通过监视吸引吸嘴的真空吸附系统的流量，来监视芯片从粘接带完全剥离以前的芯片的弯曲状态。

主权项

1.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，包含下述的工序：(a)以大致原有的晶片时的二维配置，将被分割成各个芯片区域的多个芯片在将其背面固定在粘接带的状态下，向芯片处理装置供给的工序；(b)在通过吸附吸嘴真空吸附上述多个芯片内的第一芯片的表面，并且将上述第一芯片的上述背面的上述粘接带真空吸附到下部基体的上表面的状态下，使上述粘接带从上述第一芯片的上述背面剥离的工序，在此，上述工序(b)包含下述的下位工序：(b1)通过计量上述吸附吸嘴的真空吸附系统的流量，来监视上述第一芯片从上述粘接带完全剥离以前的上述第一芯片的弯曲状态的工序。