[发明专利]半导体器件

摘要

提供一种半导体器件技术，能够实现半导体器件的高集成。标准单元设置在n－型阱中，并且包括p⁺－型扩散层和n⁺－型扩散层，其覆盖有金属硅化物膜。p⁺－型扩散层构成MIS晶体管的源极/漏极，并且n⁺－型扩散层构成抽头。p⁺－型扩散层经由接触电连接到布线层，并且n⁺－型扩散层经由接触电连接到布线层。此外，p⁺－型扩散层与n⁺－型扩散层接触。提供给MIS晶体管的源极节点的电源电势使用两层来提供，即，扩散层和布线层。

主权项

1.一种半导体器件，包括标准单元，该半导体器件包括：半导体衬底；提供在半导体衬底的主侧中的第一导电类型阱；提供在阱中的具有相对于第一导电类型的第二导电类型的第一扩散层；提供在阱中的具有第一导电类型的第二扩散层；布线层，其提供在半导体衬底的上层中，并提供电势到标准单元；第一接触，其提供在第一扩散层上，并电连接到布线层；以及第二接触，其提供在第二扩散层上，并电连接到布线层，其中：第一扩散层构成标准单元；第二扩散层形成用于提供阱的电势的抽头；第一扩散层的一部分与第二扩散层接触；以及在第一扩散层的该部分上提供第一接触。