[发明专利]相变化存储器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810125452.7 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101604728A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 庄仁吉;林永发;黄明政 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储器装置及其制造方法。该相变化存储器装置，包括：基板，具有第一电极层于其上；第一介电层，形成于该第一电极层与该基板之上；多个杯形加热电极，分别设置于该第一介电层的一部分内；第一绝缘层，沿第一方向设置于该第一介电层上，且部分覆盖于这些杯形加热电极及其间的该第一介电层；第二绝缘层，沿第二方向设置于该第一绝缘层且部分覆盖于这些杯形加热电极及其间的该第一介电层；一对相变化材料层，分别设置于该第二绝缘层的两对称侧壁上且实体接触这些杯形加热电极之一；以及一对第一导电层，分别沿该第二方向设置于该第二绝缘层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储器装置，包括：基板；第一电极层，形成于该基板上；第一介电层，形成于该第一电极层与该基板之上；多个杯形加热电极，分别设置于该第一介电层的一部分内；第一绝缘层，沿第一方向设置于该第一介电层上，且部分覆盖于这些杯形加热电极及其间的该第一介电层；第二绝缘层，沿第二方向设置于该第一绝缘层且部分覆盖于这些杯形加热电极及其间的该第一介电层；以及一对相变化材料层，分别设置于该第二绝缘层的两对称侧壁上且实体接触这些杯形加热电极之一；以及一对第一导电层，分别沿该第二方向设置于该第二绝缘层之上，其中这些第一导电层的底面实体接触这些相变化材料层之一。
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