[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810125405.2 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101320749A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 上田靖彦;藤本紘行 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/302;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法，可将加工沟槽时产生的飞边有效去除的同时使沟槽的形状最佳化，并不会产生寄生沟道、泄漏电流。在这种半导体装置中，沟槽(11)使位于活性区域(K)侧、并与开口部(11a)连接的一对第2内壁(11c)的截面轮廓线形成为大致直线状，具有以下工序：第1飞边去除工序，通过氢烘烤处理去除或减少飞边(11e)；保护膜形成工序，通过氧化处理在沟槽(11)的表面形成保护膜(14)；和第2飞边去除工序，对形成了保护膜(14)的沟槽(11)的表面进行氢烘烤，使第2内壁(11c)的截面轮廓线保持大致直线状，同时进一步去除或减少残存的飞边(11e)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有沟槽栅极晶体管，该沟槽栅极晶体管中，在半导体基板上至少具有：由元件分离绝缘膜包围了周围的活性区域；在上述活性区域内，两端部与上述元件分离绝缘膜相接设置的沟槽；经由栅极绝缘膜形成在上述沟槽中的栅电极；和形成在上述沟槽附近的扩散层，上述沟槽包括：位于上述半导体基板的一个面上的开口部；位于上述元件分离绝缘膜侧，并与上述开口部连接的一对第1内壁；位于上述活性区域侧，并与上述开口部连接的一对第2内壁；和位于上述开口部的对面，与上述第1内壁及上述第2内壁连接的底部，上述第2内壁的截面轮廓线大致为直线状，上述沟槽内部副生的飞边被去除或减少。
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