[发明专利]一种ZnO基多量子阱发光二极管有效
| 申请号： | 200810120346.X | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101359706A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;林时胜;赵炳辉;何海平;陈凌翔;顾修全;黄靖云 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的ZnO基多量子阱发光二极管，在衬底自下而上依次有ZnO缓冲层、n型ZnO膜层、n型Zn1－xMgxO限域层、由Zn1－xMgxO和Zn1－yCdyO交替沉积形成的Zn1－xMgxO/Zn1－yCdyO多量子阱层、Na掺杂p型Zn1－xMgxO薄膜、Na掺杂p型ZnO薄膜层和第二电极，第一电极与n型Zn1－xMgxO限域层并列并沉积在n型ZnO膜层上。本发明的ZnO基多量子阱发光二极管具有较好的晶体质量，光学性能和电学性能，发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 基多 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO基多量子阱发光二极管，其特征是在衬底(1)自下而上依次有ZnO缓冲层(2)、n型ZnO膜层(3)、n型Zn1-xMgxO限域层(4)、由Zn1-xMgxO和Zn1-yCdyO交替沉积形成的Zn1-xMgxO/Zn1-yCdyO多量子阱层(5)、Na掺杂p型Zn1-xMgxO薄膜(6)、Na掺杂p型ZnO薄膜层(7)和第二电极(9)，第一电极(8)与n型Zn1-xMgxO限域层(4)并列并沉积在n型ZnO膜层(3)上，其中n型Zn1-xMgxO限域层(4)的0.1≤x≤0.4，Zn1-xMgxO/Zn1-yCdyO多量子阱层(5)的0≤x≤0.3，0≤y≤0.1，且x和y不同时为0，p型Zn1-xMgxO薄膜(6)的0.1≤x≤0.4。
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