[发明专利]一种等离子腔室及其温度控制方法有效
| 申请号： | 200810118767.9 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101656194A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 彭宇霖 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;C23C16/44;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子腔室及其温度控制方法，所述等离子腔室包括：下腔体，所述下腔体上面的上腔体，下腔体底部的基片支承装置和设于上腔体之中的控温模块；所述上腔体具有侧壁和覆盖于侧壁上的介质窗；所述下腔体、上腔体之间形成等离子腔室的内腔。本发明公开的等离子腔室的上腔体内设有控温模块，该控温模块可以单独控制覆盖于上腔体侧壁上的介质窗的温度，使介质窗的温度能够达到并稳定在设定温度，并配合等离子腔室的下腔体和基片支承装置的温度控制，能够保证等离子加工工艺的稳定性和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 及其 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种等离子腔室，其特征在于，包括：下腔体，位于下腔体上面的上腔体，位于下腔体底部的基片支承装置和位于上腔体之中的控温模块；所述上腔体具有侧壁和覆盖于侧壁上的介质窗；所述下腔体、上腔体之间形成等离子腔室的内腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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