[发明专利]垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810116510.X | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101323953A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 卫敏;刘晓磊;陆军;段雪 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04 |
| 代理公司： | 北京华谊知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜及其制备方法，属于有机－无机复合材料及其制备技术领域。插层水滑石的化学式为：[(M2+)1－x(M3+)x(OH)2x+(CMCDn－)x/n·mH2O。制备方法先将铝片在恒电压条件下阳极氧化；再分别称取二价金属盐，阴离子修饰的环糊精和NH4NO3溶解于去离子水中配成反应合成液，再用氨水调节反应合成液的pH在5.9～8.5之间。将阳极氧化铝/铝基片垂直悬吊在上述反应合成液中，在一定温度下反应一定时间制得环糊精插层水滑石膜。优点在于：利用原位生长技术得到的环糊精插层水滑石薄膜固定于铝基底上，实现了水滑石的固定化和器件化，且得到的水滑石具有一定的机械强度，这将极大方便环糊精插层水滑石材料在生产生活中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 基底 生长 环糊精 插层水 滑石 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜，其特征在于：以阳极氧化铝为基底和铝源，水滑石层板为垂直于阳极氧化铝基底排列结构；化学式为：[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(CDn-)x/n·mH2O，其中0.2≤x≤0.33，n＝0.5-14，m＝3-6为层间结晶水分子数，M2+为二价金属离子Ni2+、Zn2+、Co2+、Fe2+、Ca2+、Mn2+、Cu2+的任何一种，M3+代表三价金属离子Al3+；CD表示羧甲基或磺酸基修饰的环糊精。
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