[发明专利]用于保护芯片的半导体结构有效
| 申请号： | 200810114313.4 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599465A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于保护芯片的半导体结构，包括位于芯片的互连结构外围的密封圈和位于所述密封圈的至少一个侧壁外侧的缓冲结构，所述缓冲结构与所述密封圈分离；所述缓冲结构包括与所述互连结构相应的中间金属层和用于连接所述中间金属层的插塞；每一层的中间金属层中的金属线至少为两条，且不同的金属线在沿与该缓冲结构相应的密封圈外侧壁的垂直方向分离；相邻层的中间金属层中相应位置的金属线通过所述的插塞连接。本发明的半导体结构能够释放角落区域得应力，并有效保护芯片中的器件和结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 保护 芯片 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于保护芯片的半导体结构，包括位于芯片的互连结构外围的密封圈和位于所述密封圈的至少一个侧壁外侧的缓冲结构，所述缓冲结构与所述密封圈分离；其特征在于：所述缓冲结构包括与所述互连结构相应的中间金属层和用于连接所述中间金属层的插塞；每一层的中间金属层中的金属线至少为两条，且不同的金属线在沿与该缓冲结构相应的密封圈外侧壁的垂直方向分离；相邻层的中间金属层中相应位置的金属线通过所述的插塞连接。
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