[发明专利]一种钛酸钡基磁性薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号: | 200810113786.2 | 申请日: | 2008-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN101345118A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
| 发明(设计)人: | 林元华;南策文;张嵩印 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | H01F10/28 | 分类号: | H01F10/28;H01F41/14;C23C14/28 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084北京市100*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种钛酸钡基磁性薄膜材料及其制备方法,属于磁性薄膜材料领域。其特征在于:所述薄膜材料以BaTiO3薄膜为基体,在其中掺入过渡族金属元素离子,所述薄膜材料的原子摩尔比为Ti 95-99.5%,过渡族金属原子0.5-5%。所述制备方法采用脉冲激光沉积法(PLD),在SrTiO3单晶衬底上制备过渡族金属离子(如Mn、Co)掺杂的BaTiO3薄膜,获得室温铁电/铁磁薄膜。通过改变掺杂的过渡族金属的种类,改变过渡族金属元素掺杂量,改变沉积时间控制薄膜厚度,可实现薄膜的室温铁电、铁磁性调节。该方法具有设备简单,易控制,重复性强,适用于制备多功能磁性薄膜材料等特点,有望在自旋电子学等新兴领域的电子器件中,发挥重要的作用。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 钛酸钡 磁性 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种钛酸钡基磁性薄膜材料,其特征在于:所述薄膜材料以BaTiO3薄膜为基体,在其中掺入过渡族金属元素离子,所述薄膜材料的原子摩尔比为Ti 95-99.5%,过渡族金属原子0.5-5%。
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