[发明专利]一种TTL和CMOS兼容式输入缓冲器有效
| 申请号： | 200810112420.3 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101282114A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈雷;林彦君;文治平;储鹏;王勇;李学武;周涛;张彦龙;刘增荣;尚祖宾 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;中国航天时代电子公司第七七二研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100076北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种TTL和CMOS兼容式输入缓冲器，包括参考电压产生器和输入缓冲器，输入缓冲器包括至少一级输入反相器，输入反相器包括PMOS管P1和NMOS管N2，PMOS管P1和NMOS管N2的栅极相连作为输入信号Vin的输入端，PMOS管P1的源极接参考电压产生器提供的参考电压VREF；当电路工作在TTL输入模式时，参考电压产生器提供给输入反相器的参考电压VREF在3.3～3.5V之间，输入反相器的翻转点电压为1.4V，使输入噪声容限最大；当电路工作在CMOS输入模式时，参考电压产生器没有静态功耗，参考电压产生器提供给输入反相器的参考电压VREF在4.6～5V之间，输入反相器的翻转点电压为2.5V，以获得最大噪声容限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ttl cmos 兼容 输入 缓冲器 | ||
【主权项】：
1、一种TTL和CMOS兼容式输入缓冲器，其特征在于包括：参考电压产生器(3)和输入缓冲器(4)，输入缓冲器(4)包括至少一级输入反相器(5)，输入反相器(5)包括PMOS管P1和NMOS管N2，PMOS管P1和NMOS管N2的栅极相连作为输入信号Vin的输入端，PMOS管P1的源极接参考电压产生器(3)提供的参考电压VREF；当电路工作在TTL输入模式时，参考电压产生器(3)提供给输入反相器(5)的参考电压VREF在3.3～3.5V之间，输入反相器(5)的翻转点电压为1.4V，使得输入噪声容限最大；当电路工作在CMOS输入模式时，参考电压产生器(3)提供给输入反相器(5)的参考电压VREF在4.6～5V之间，输入反相器(5)的翻转点电压为2.5V，以获取最大噪声容限。
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