[发明专利]半导体处理用的成膜方法

摘要

本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其具有：准备成膜装置的工序，该成膜装置具有处理容器、气体供给部、排气部、载置台、和激励机构；向处理容器内提供第一处理气体，通过等离子体CVD进行第一处理的工序，第一处理气体是通过电离主要产生第一极性的离子的气体；在第一处理后，进行稳定化处理容器内的状态的稳定化处理的工序，稳定化处理设定为，将通过电离主要产生与第一极性相反的第二极性的离子的稳定化处理气体，提供给处理容器内部，进行等离子体化；在稳定化处理后，将基板搬入处理容器内，在载置台的上面上载置基板的工序；和向处理容器内提供主处理气体，通过等离子体CVD进行主成膜处理，由此在载置台上的基板上形成膜的工序。

主权项

1.一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于，具有：准备成膜装置的工序，所述成膜装置具有：收容被处理基板的处理容器、向所述处理容器内提供处理气体的气体供给部、排气所述处理容器内部的排气部、配设在所述处理容器内且具有载置所述基板的上面的载置台、和在所述处理容器内产生等离子体的激励机构；向所述处理容器内提供第一处理气体，通过等离子体CVD来进行第一处理的工序，所述第一处理气体是通过电离主要产生第一极性的离子的气体；在所述第一处理后，进行稳定化所述处理容器内的状态的稳定化处理的工序，所述稳定化处理设定为，将通过电离主要产生与第一极性相反的第二极性的离子的稳定化处理气体，提供给所述处理容器内部，来进行等离子体化；在所述稳定化处理后，将所述基板搬入所述处理容器内，在所述载置台的所述上面上载置所述基板的工序；和向所述处理容器内提供主处理气体，通过等离子体CVD来进行主成膜处理，由此在所述载置台上的所述基板上形成膜的工序。