[发明专利]具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810108148.1 | 申请日： | 2003-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN101383393A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 佐野雅彦;野中满宏;镰田和美;山本正司 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/042;H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟 强;关兆辉 |
| 地址： | 日本德岛*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。具有在异质衬底上生长氮化物半导体层的工序、此后把支持衬底粘合到氮化物半导体层上的工序以及除去异质衬底的工序。上述粘合工序通过合金共晶而形成导电层。上述异质衬底的除去工序通过激光照射、研磨、化学抛光来进行。在上述异质衬底的除去工序后，具有通过对氮化物半导体的露出表面进行蚀刻、把氮化物半导体分离成芯片状的工序。在上述异质衬底的除去工序后，具有在氮化物半导体的露出表面上形成凹凸的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 支持 衬底 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种氮化物半导体器件，依次具有：支持衬底、形成在上述支持衬底上的导电层、和设置在上述导电层上的氮化物半导体，该氮化物半导体器件的特征在于，上述氮化物半导体包括第1导电型氮化物半导体层、发光层、第2导电型氮化物半导体层，在上述导电层上依次积层上述第1导电型氮化物半导体层、上述发光层、上述第2导电型氮化物半导体层，在上述导电层和上述第1导电型氮化物半导体层之间形成有第1电极，在上述第2导电型氮化物半导体层上形成有第2电极，在上述第2导电型氮化物半导体层的表面设有凹凸。
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