[发明专利]一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管的制备领域，该方法完全采用标准CMOS工艺来制备LDMOS的办法，仅仅需要通过如下版图设计来实现LDMOS，即定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、源区、漏区、沟道区和漂移区，并定义栅区线条版；源区、栅区和漏区采用重掺杂注入版形成；漂移区位于漏区和沟道区之间；体区引出和源区一起接地；采用N阱的版图以形成N型LDMOS的低掺杂漂移区，或P阱的版图形成P型LDMOS的低掺杂漂移区；并采用硅化阻止版防止漂移区被硅化；源区、漏区和栅区设计和常规的MOS相同。本发明对于任何标准工艺均有效，最大程度的降低了成本，拓展了标准工艺制备特殊器件的能力。

主权项

1、一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法，步骤包括：1)版图设计：定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、源区、漏区、沟道区和漂移区，并定义栅区线条版；源区、栅区和漏区采用重掺杂注入版形成；漂移区位于漏区和沟道区之间；体区引出和源区一起接地；采用N阱的版图以形成N型LDMOS的低掺杂漂移区，或P阱的版图形成P型LDMOS的低掺杂漂移区；并采用硅化阻止版防止漂移区被硅化；源区、漏区和栅区设计和常规的MOS相同；2)利用标准的CMOS工艺制备LDMOS器件，步骤依次为：a)采用标准工艺流程进行阱注入工艺时，利用上述N阱的版图，进行低掺杂，形成的N型LDMOS器件的漂移区，或利用P阱的版图，进行低掺杂，形成PMOS的漂移区；采用标准工艺流程的STI隔离工艺，定义器件的有源区，形成LDMOS的体引出区、源区、漏区、沟道区及漂移区；b)接下来进行沟道区注入和栅区形成工艺，LDMOS结构和常规MOS结构几乎完全相同，依次为沟道注入和阈值调整注入，形成栅介质层，淀积和刻蚀栅材料，形成栅，低掺杂形成LDD区，形成侧墙；c)采用标准工艺流程的源漏注入工艺，对LDMOS进行源漏区掺杂；并且，利用NMOS源漏注入，在P型LDMOS的体区高掺杂定义体引出区；或利用PMOS源漏注入，在N型LDMOS的体区高掺杂定义体引出区；将未被硅化阻止版保护的区域硅化，降低电阻；d)采用常规的MOS的制备工艺完成后续的LDMOS制备步骤，制得横向双扩散场效应晶体管。