[发明专利]一种单晶硫化锌纳米线的制备方法

摘要

一种单晶硫化锌纳米线的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在管式炉中通入流量为108～113ml/min的氩气和氢气的混合气体；将ZnS粉末放在石英舟中作为蒸发源，和舟一起放在管式炉中，同时将清洗过的硅片放入炉中，硅片距离蒸发源25～30mm，其中蒸发源放在气流的入口方向，硅片放在气流的出口方向；将管式炉升温至890～910℃，保温时间为80～120min，炉内压强为0.015～0.03MPa。当炉子的温度降至室温后，在硅片上沉积一层ZnS纳米线白色薄膜。本发明合成温度比较低，而且没有采用外来催化剂。制备出的ZnS纳米线具有面心立方结构，纳米线尖端的直径只有20～30nm，长度为10～15μm。纳米线为单晶，结晶质量比较高。本发明操作工艺简便，原料易得，成本低，易于规模化生产。

主权项

1、一种单晶硫化锌纳米线的制备方法，其特征在于，将ZnS粉末放在石英舟中作为蒸发源，和舟一起放在管式炉中，同时将分别经过酒精和丙酮超声清洗过的硅片放入炉中，硅片距离蒸发源25～30mm，其中蒸发源放在气流的入口方向，硅片放在气流的出口方向；在管式炉中通入流量为108～113ml/min的氢气和氩气的混合气体；将管式炉升温至890～910℃，保温时间为80～120min，炉子内的压强为0.015～0.03MPa，当炉子的温度降至室温后，取出硅片，在硅片上沉积一层ZnS纳米线白色薄膜。